BSC010N04LS/TDSON-8/semi-conducteurs discrets
•Optimizedforsychronousrectification
•Verylowon-resistanceRDS (dessus)
•100%avalanchetested •Superiorthermalresistance
•N-canal, logiclevel
•) Fortargetapplications QualifiedaccordingtoJEDEC1
•Pb-freeleadplating ; RoHScompliant
•Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21
•Highersolderjointreliabilityduetoenlargedsourceinterconnection
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Infineon | |
| Catégorie de produit : | Transistor MOSFET |
| SI | |
| SMD/SMT | |
| TDSON-8 | |
| N-canal | |
| La 1 Manche | |
| 40 V | |
| 100 A | |
| mOhms 1 | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 1,2 V | |
| 95 OR | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 139 W | |
| Amélioration | |
| OptiMOS | |
| OptiMOS 5 | |
| Bobine | |
| Coupez la bande | |
| MouseReel | |
| Marque : | Infineon Technologies |
| Configuration : | Simple |
| Kit de développement : | EVAL-600W-12V-LLC-A, EVAL_600W_12V_LLC_CFD7, EVAL_600W_12V_LLC_P7, KIT_600W_LLC_DI_CTRL |
| Temps de chute : | 9 NS |
| Transconductance en avant - minute : | 140 S |
| Taille : | 1,27 millimètres |
| Longueur : | 5,9 millimètres |
| Type de produit : | Transistor MOSFET |
| Temps de montée : | 12 NS |
| Quantité de paquet d'usine : | 5000 |
| Sous-catégorie : | Transistors MOSFET |
| Type de transistor : | 1 N-canal |
| Temps de retard d'arrêt typique : | 46 NS |
| Temps de retard d'ouverture typique : | 10 NS |
| Largeur : | 5,15 millimètres |
| Partie # noms d'emprunt : | SP000928282 BSC010N04LSATMA1 |
| Poids spécifique : | 0,003527 onces |
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