BSZ097N10NS5ATMA1/TSDSON-8/TRANSISTOR MOSFET
Idéal pour la commutation à haute fréquence
Technologie optimisée pour des convertisseurs de DC/DC
Excellent produit de RPS de la charge X de porte (dessus) (FOM)
N-canal, normallevel
l'avalanche 100% a examiné
électrodéposition sans Pb ; RoHS conforme
Qualifié selon JEDEC1) pour des applications de cible
sans halogène selon lEC61249-2-21
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Infineon | |
| Catégorie de produit : | Transistor MOSFET |
| SI | |
| SMD/SMT | |
| TSDSON-8 | |
| N-canal | |
| La 1 Manche | |
| 100 V | |
| 40 A | |
| 8,3 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 2,2 V | |
| 28 OR | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 69 W | |
| Amélioration | |
| OptiMOS | |
| OptiMOS 5 | |
| Bobine | |
| Coupez la bande | |
| MouseReel | |
| Marque : | Infineon Technologies |
| Configuration : | Simple |
| Temps de chute : | 5 NS |
| Transconductance en avant - minute : | 23 S |
| Taille : | 1,1 millimètres |
| Longueur : | 3,3 millimètres |
| Type de produit : | Transistor MOSFET |
| Temps de montée : | 5 NS |
| Quantité de paquet d'usine : | 5000 |
| Sous-catégorie : | Transistors MOSFET |
| Type de transistor : | 1 N-canal |
| Temps de retard d'arrêt typique : | 21 NS |
| Temps de retard d'ouverture typique : | 11 NS |
| Largeur : | 3,3 millimètres |
| Partie # noms d'emprunt : | BSZ097N10NS5 SP001132550 |
| Poids spécifique : | 0,001367 onces |
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