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DMN55D0UT-7/SOT-523-3/TRANSISTOR MOSFET

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DMN55D0UT-7/SOT-523-3/TRANSISTOR MOSFET
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traits
Caractéristiques
Détails d'emballage: Norme/nouveau/original
Vds - tension claque de Drain-source: 50 V
Identification - Courant continu de drain: 160 mA
Le RDS sur - la résistance de Drain-source: 4 ohms
Vgs - tension de Porte-source: - 12 V, + 12 V
Qg - charge de porte: PC 295
Informations de base
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: Diodes Incorporated
Numéro de modèle: DMN55D0UT-7
Conditions de paiement et expédition
Détails d'emballage: SOT-523-3
Délai de livraison: En stock
Conditions de paiement: L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement: Contactez-nous
Description de produit

DMN55D0UT-7/SOT-523-3/TRANSISTOR MOSFET

 

Description

 

Ce transistor MOSFET est conçu pour réduire au minimum la résistance de sur-état (le RDS (DESSUS)) mais maintenir la représentation de changement supérieure, le rendant idéal pour des applications de gestion de puissance de rendement élevé.

 

Attribut de produit Valeur d'attribut
Diodes incorporées
Catégorie de produit : Transistor MOSFET
SI
SMD/SMT
SOT-523-3
N-canal
La 1 Manche
50 V
160 mA
4 ohms
- 12 V, + 12 V
700 système mv
PC 295
- 55 C
+ 150 C
200 mW
Amélioration
DMN55
Bobine
Coupez la bande
MouseReel
Marque : Diodes incorporées
Configuration : Simple
Transconductance en avant - minute : Mme 180
Taille : 0,75 millimètres
Longueur : 1,6 millimètres
Produit : Petit signal de transistor MOSFET
Type de produit : Transistor MOSFET
Quantité de paquet d'usine : 3000
Sous-catégorie : Transistors MOSFET
Type de transistor : 1 N-canal
Largeur : 0,8 millimètres
Poids spécifique : 0,000071 onces

 

DMN55D0UT-7/SOT-523-3/TRANSISTOR MOSFET 0

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