SI1900DL-T1-E3/SOT-363-6/semi-conducteurs discrets
Description
• sans halogène selon la définition du CEI 61249-2-21
• Transistor MOSFET de puissance de TrenchFET®
• Conforme à RoHS 2002/95/EC directif
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
|---|---|
| Vishay | |
| Catégorie de produit : | Transistor MOSFET |
| RoHS : | Détails |
| SI | |
| SMD/SMT | |
| SOT-363-6 | |
| N-canal | |
| La Manche 2 | |
| 30 V | |
| 630 mA | |
| 480 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 1 V | |
| 1,4 OR | |
| - 55 C | |
| + 150 C | |
| 300 mW | |
| Amélioration | |
| TrenchFET | |
| SI1 | |
| Bobine | |
| Coupez la bande | |
| MouseReel | |
| Marque : | Semi-conducteurs de Vishay |
| Configuration : | Double |
| Taille : | 1 millimètre |
| Longueur : | 2,1 millimètres |
| Type de produit : | Transistor MOSFET |
| Quantité de paquet d'usine : | 3000 |
| Sous-catégorie : | Transistors MOSFET |
| Largeur : | 1,25 millimètres |
| Partie # noms d'emprunt : | SI1900DL-E3 |
| Poids spécifique : | 0,000265 onces |
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