STH315N10F7-2/TO-263-3/transistors MOSFET
Ces transistors MOSFET de puissance de N-canal utilisent la technologie de STripFET F7 avec une structure augmentée de porte de fossé qui a comme conséquence la résistance très basse de sur-état, tout en également réduisant la charge interne de capacité et de porte pour une commutation plus rapide et plus efficace.
| Attribut de produit | Valeur d'attribut |
|---|---|
| STMicroelectronics | |
| Catégorie de produit : | Transistor MOSFET |
| SI | |
| SMD/SMT | |
| H2PAK-2 | |
| N-canal | |
| La 1 Manche | |
| 100 V | |
| 180 A | |
| 2,3 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 3,5 V | |
| 180 OR | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 315 W | |
| Amélioration | |
| AEC-Q101 | |
| STripFET | |
| Bobine | |
| Coupez la bande | |
| MouseReel | |
| Marque : | STMicroelectronics |
| Configuration : | Simple |
| Temps de chute : | 40 NS |
| Type de produit : | Transistor MOSFET |
| Temps de montée : | 108 NS |
| Série : | STH315N10F7-2 |
| Quantité de paquet d'usine : | 1000 |
| Sous-catégorie : | Transistors MOSFET |
| Type de transistor : | 1 N-canal |
| Temps de retard d'arrêt typique : | 148 NS |
| Temps de retard d'ouverture typique : | 62 NS |
| Poids spécifique : | 0,139332 onces |
